8Gb 20nm급 상변환 메모리(Pram)개발_삼성

삼성이 20nm급 8Gb 상변환 메모리를 개발했다고 합니다.

인터페이스가 LPDDR2 이어서 상용화 된다면 바로 적용이 가능할 정도랍니다.

물론 Dram보다는 느리지만 현재의 낸드플레쉬 보다는 훨씬 빠릅니다.

상변환 메모리는 플래시 메모리의 대체를 노리는 차세대 비휘발성 메모리 후보 중 하나로 특정 합금 재료가 결정 상태와 비결정(유리와 비슷한 상태) 상태를 반복하는 성질(상변화)을 이용하여 데이터를 저장한다.

합금 재료에 짧고 높은 전류 펄스를 흘려 보내 가열해 합금을 녹여 급속히 냉각한다. 그러면 합금 재료는 비결정 상태가 되어 전기 저항이 높은 상태(리셋 상태)가 된다. 한편 합금 재료에 길고 낮은 전류 펄스를 흘려 보내 가열한 뒤 합금을 천천히 식히면 합금 재료는 결정 상태가 되고 전기 저항이 낮은 상태(세트 상태)가 된다.

전기 저항의 차이가 논리 레벨의 차이에 대응한다. 리셋 상태와 세트 상태는 모두 전원을 꺼도 유지되기 때문에 비휘발성 메모리를 만들 수 있다.

합금 재료가 상변화를 일으키는데 필요한 시간은 수십~수백 ns(데이터 쓰기 시간 기준)으로 DRAM에 비해 길지만 플래시 메모리에 비해서는 훨씬 짧다. 때문에 원칙적으로는 플래시 메모리 보다 훨씬 빠른 쓰기 속도를 가지고 있다.

상변화 메모리의 메모리 셀은 1개의 선택 소자와 1개의 기억 소자로 구성되어 있는데 이 구성은 DRAM과 비슷하며 원칙적으로 DRAM과 동일한 저장 용량을 달성할 수 있다.

이번에 개발된 상변환 메모리는  LPDDR2 인터페이스를 지원하며 작년에 54nm 공정으로 제작된 1Gb 용량 제품의 발표후 불과 1년 남짓만에 8배 늘어난 8Gb 용량의 개발에 성공했다.

현재로써는 가장 미세한 공정인 20nm 공정으로 제작되었으며 현재까지 개발된 상변환 메모리중 최대 용량을 자랑한다.

삼성은 내년 2월에 열리는 ISSCC 컨퍼런스에서 메모리에 대한 더 자세한 사양을 발표할 예정이다.

참고 : http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/event/20110225_429143.html


1년 이내로 대량생산을 통한 가격만 재대로 나온다면 SSD쪽의 엄청난 발전을 느낄 수 있을 듯 하네요~