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디램

8Gb 20nm급 상변환 메모리(Pram)개발_삼성 삼성이 20nm급 8Gb 상변환 메모리를 개발했다고 합니다. 인터페이스가 LPDDR2 이어서 상용화 된다면 바로 적용이 가능할 정도랍니다. 물론 Dram보다는 느리지만 현재의 낸드플레쉬 보다는 훨씬 빠릅니다. 상변환 메모리는 플래시 메모리의 대체를 노리는 차세대 비휘발성 메모리 후보 중 하나로 특정 합금 재료가 결정 상태와 비결정(유리와 비슷한 상태) 상태를 반복하는 성질(상변화)을 이용하여 데이터를 저장한다. 합금 재료에 짧고 높은 전류 펄스를 흘려 보내 가열해 합금을 녹여 급속히 냉각한다. 그러면 합금 재료는 비결정 상태가 되어 전기 저항이 높은 상태(리셋 상태)가 된다. 한편 합금 재료에 길고 낮은 전류 펄스를 흘려 보내 가열한 뒤 합금을 천천히 식히면 합금 재료는 결정 상태가 되고 전기 저항이 낮.. 더보기
엘피다의 새로운 가장 작은 2기가빗 DDR3 램~ 엘피다에서 새로운 2-gigabit DDR3 SDRAM (product names: EDJ2116DEBG and EDJ2108DEBG) 샘플버젼을 풀기 시작했습니다. x16-bit I/O 인터페이스를 지원한다고 하네요. DDR3-1600(1600Mbps)기본이라고 하네요~ Product Features: • x16-bit/x8-bit I/O • DDR3-1600 high-speed access • 1.35V operation for DDR3L specification • DDR3-Plus (seamless BL4 access) • Data output buffer can be set to low output (RZQ/5) Target applications: • Digital TV, BD players,.. 더보기