DDR2 썸네일형 리스트형 8Gb 20nm급 상변환 메모리(Pram)개발_삼성 삼성이 20nm급 8Gb 상변환 메모리를 개발했다고 합니다. 인터페이스가 LPDDR2 이어서 상용화 된다면 바로 적용이 가능할 정도랍니다. 물론 Dram보다는 느리지만 현재의 낸드플레쉬 보다는 훨씬 빠릅니다. 상변환 메모리는 플래시 메모리의 대체를 노리는 차세대 비휘발성 메모리 후보 중 하나로 특정 합금 재료가 결정 상태와 비결정(유리와 비슷한 상태) 상태를 반복하는 성질(상변화)을 이용하여 데이터를 저장한다. 합금 재료에 짧고 높은 전류 펄스를 흘려 보내 가열해 합금을 녹여 급속히 냉각한다. 그러면 합금 재료는 비결정 상태가 되어 전기 저항이 높은 상태(리셋 상태)가 된다. 한편 합금 재료에 길고 낮은 전류 펄스를 흘려 보내 가열한 뒤 합금을 천천히 식히면 합금 재료는 결정 상태가 되고 전기 저항이 낮.. 더보기 30nm 2Gb 모바일램_1066Mbps_LPDDR2 chip 삼성전자에서 세계최초 최대 용량인 4Gb(512MB) 저전력 LPDDR2(Low Power Double-Date-Rate 2) RAM의 대량생산을 시작했다고 합니다. LPDDR램은 흔히 우리가 모바일 램이라고 부르는, 즉 스마트폰과 태블릿등에 들어가는 램입니다. 이번 제품은 30nm급 제품으로 종전의 40nm급의 333~400Mbps 보다 2배 이상 높은 1,066Mbps의 전송속도를 지녔다고 합니다. 물론 생산성도 60% 증가했고요. 또한 이전에는 1GB LPDDR2를 만드려면 4개의 칩이 필요했지만 이제는 2개의 칩만으로도 가능하기때문에 두께또한 1.0mm 에서 0.8mm로 20% 얇아졌다고 합니다. 물론 공정이 미세화해진만큼 소비전력또한 25%정도 감소하여 향후 모바일 기기에서 더 적은전력으로 구동.. 더보기 이전 1 다음
