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삼성, 애플 특허 8개로 추가제소 Foss Patents에 따르면, 올 2월 애플이 북부 캘리포니아 법원에 2번째로 삼성을 제소했는데, 17일 삼성이 8개의 특허들로 역제소 했다고하네요. 8개의 특허중 2개는 삼성이 06년,10년 ETSI표준으로 공포한 FRAND 특허들이고, 3개는 삼성이 출원한 특허이며, 3개는 특허전쟁 시작이후 삼성이 사들인 특허 입니다. 정말 삼성의 분노가 느껴질 정도군요ㅋㅋ 그나저나 이번 역제소는 방어적 개념도 있지만 조만간 열릴 협상테이블에서 더 강한 발언권을 가지기 위함일 것이라고들 보고 있네요. 그나저나 처음에는 초 막장 불륜 드라마인줄 알았는데....1년이나 지나고 나니까 이제 순정 맬로 지루한 드라마의 느낌....;; ps. 이번 제소한 특허 8개는 아래 8개 입니다. U.S. Patent No. 7,7.. 더보기
GT-i9300 테스트유닛 공개 & 촬영 사진 스펙은  4.6 inch (720x1184 , 320 dpi)1.4GHz 쿼드코어 (4412추정)1GB RAM, 8M카메라2050mAh 배터리  하지만 한가지 유의 하셔야 할것이....현재 공개되고 있는 모델이 두가지 인데요.... 코드명 발리와 마이더스. 발리는 보급형(?)마이더스가 플래그쉽라인. 이라고들 얘기가 돌고 있습니다. GT-i9300이 차세대 플래그쉽이 아니라 보급형인 코드명 발리 라고 이전에 나왔던 적이 있는데 그이후로 얘기가 없어서 사실인지는 모르겠습니다. 일단 플래그쉽 라인이라고하기에는 하드웨어 스펙이 좀 딸리네요.... 중국 MEIZU에서 나온 폰과 스펙이 거의 동일하니까요...      GT- i9300 으로 찍은 사진 두장   -I  source : TinhteVia : Engad.. 더보기
8Gb 20nm급 상변환 메모리(Pram)개발_삼성 삼성이 20nm급 8Gb 상변환 메모리를 개발했다고 합니다. 인터페이스가 LPDDR2 이어서 상용화 된다면 바로 적용이 가능할 정도랍니다. 물론 Dram보다는 느리지만 현재의 낸드플레쉬 보다는 훨씬 빠릅니다. 상변환 메모리는 플래시 메모리의 대체를 노리는 차세대 비휘발성 메모리 후보 중 하나로 특정 합금 재료가 결정 상태와 비결정(유리와 비슷한 상태) 상태를 반복하는 성질(상변화)을 이용하여 데이터를 저장한다. 합금 재료에 짧고 높은 전류 펄스를 흘려 보내 가열해 합금을 녹여 급속히 냉각한다. 그러면 합금 재료는 비결정 상태가 되어 전기 저항이 높은 상태(리셋 상태)가 된다. 한편 합금 재료에 길고 낮은 전류 펄스를 흘려 보내 가열한 뒤 합금을 천천히 식히면 합금 재료는 결정 상태가 되고 전기 저항이 낮.. 더보기
애플의 무리수! (테블릿,스마트폰 디자인 가이드라인 제시) 애플이 제시하는 맛폰 만드는 법: 전면부 검정색 사용 하지 말것 전반적인 외관이 직사각형이 아니어야 하며, 혹은 모서리가 둥글어선 안된다 액정은 정 중앙에 위치시키지 않아야 하며, 모서리 빈 영역은 상당히 넓어야 한다. 스피커 그릴을 수평 방향으로 위치시키지 말 것 전면부에 대량의 장식물을 부착할 것 전면부 베젤을 넣지 말 것 애플이 제시하는 태블릿 만드는 법: 전반적인 외관은 직사각형이 아니어야 하며, 혹은 모서리가 둥글어선 안됨 전면부 테두리를 두껍게 만들어라. 얇게 하면 안된다. 전면부를 곡면으로 만들 것 얇게 만들지 말라 조잡하게 만들어라. 40. For the iPhone design, alternative smartphone designs include: front surfaces that a.. 더보기
TI OMAP 탑재 갤럭시 S 2 (ti-omap powered galaxy s2) TI OMAP 4430 1.2GHz AP를 탑재한 갤럭시 S2 입니다. 모델명은 gt-i9100G TI OMAP4430 은 1.2GHz dual-core ARM Cortex A9 프로세서 와 PowerVR SGX 540 그래픽 입니다. powerVR 의 그래픽은 메이저 그래픽으로 호환성이 참 좋다는게 가장 좋은 장점이지요. 일단 삼성의 소프트웨어는 Exynos AP를 기반으로 안정화가 되기 때문에 Exynos 탑재한 폰에서 가장 안정적이지요. 이번 스냅드래곤을 장착한 갤럭시 S2 LTE 의 소프트웨어 최적화가 살짝 모자른걸 보면 TI가 탑재된 폰의 소프트웨어 상태가 가장 궁금하네요. via : samsung , gsmarena 더보기
갤럭시 노트 소개 Silicon CPU: Exynos 4210 (same as Galaxy S II), running at 1.4GHz; 2786.91 BogoMIPS GPU: ARM Mali-400 MP WiFi / Bluetooth module: Broadcom BCM4330 (same as Galaxy S II and Galaxy Nexus) Audio codec: Yamaha C1YMU823 / MC-1N2 (Same as Galaxy S II) FM radio receiver: Si4709 HDMI: Silicon Image MHD Sil9234 transmitter over MHL (same as Galaxy Nexus and Galaxy S II) USB switch: Fairchild Semiconducto.. 더보기
삼성의 Display 전략_glasses free 3D Retina Display 삼성의 향후 디스플레이 전략이 담긴 슬라이드 입니다. 현재 7인치 갤탭의 경우 1024 x 600, 170ppi 패널입니다. 하지만 조만간 200~300ppi slim, No Glass 3D , 배터리시간 33%증가. 그리고 2015년까지 300~400ppi Ultra Slim, 배터리시간 현존 66%증가를 목적으로 두고 있는 듯 싶습니다. 그리고 또하나 눈여겨 봐야 할것이 현재는 Touch 만으로 입력되는 것과 달리 Double Input 즉 손가락 터치와 펜으로 쓸 수 있도록 두가지의 입력 체계를 가질 것이라고 하네요. 출처 : engadget 추천 과 댓글은 블로거에게 큰 힘이 됩니다^^ 그냥 손가락을 누르시면 되요^^& 더보기
삼성 CTIA press conference(Galaxy Tab 8.9 , 10.1v) 삼성이 3월 23일 CTIA에서 발표한 press 전체 동영상입니다. 8.9인치의 두께는 예측됐던것이라고 해도 10.1v의 두께를 2달만에 콱 줄여버린 것은 정말 충격이었죠. 더보기
30nm 2Gb 모바일램_1066Mbps_LPDDR2 chip 삼성전자에서 세계최초 최대 용량인 4Gb(512MB) 저전력 LPDDR2(Low Power Double-Date-Rate 2) RAM의 대량생산을 시작했다고 합니다. LPDDR램은 흔히 우리가 모바일 램이라고 부르는, 즉 스마트폰과 태블릿등에 들어가는 램입니다. 이번 제품은 30nm급 제품으로 종전의 40nm급의 333~400Mbps 보다 2배 이상 높은 1,066Mbps의 전송속도를 지녔다고 합니다. 물론 생산성도 60% 증가했고요. 또한 이전에는 1GB LPDDR2를 만드려면 4개의 칩이 필요했지만 이제는 2개의 칩만으로도 가능하기때문에 두께또한 1.0mm 에서 0.8mm로 20% 얇아졌다고 합니다. 물론 공정이 미세화해진만큼 소비전력또한 25%정도 감소하여 향후 모바일 기기에서 더 적은전력으로 구동.. 더보기
삼성 DDR4 DRAM 세계 최초 개발 삼성에서 이번에 새로 DDR램을 개발했다고 합니다. 2012년 세계가 멸망할때쯤 양산 예정이며 DDR4 램입니다. 30나노급이며 1.2v의 전력에서 2.1Gps의 속도로 작동 한다고 합니다. 같은 30나노급 DDR3보다 훨씬 저전력에 고성능인것이죠~ -전문- 2배 빠르고, 소비전력은 낮추다! 세계 최초 차세대 고성능 DDR4 D램 개발 현대를 사는 우리들에게 반도체는 눈에 보이지는 않지만 사용하는 많은 제품에 꼭 필요한 기술이자 제품입니다. 특히 환경까지 고려한 고성능, 저전력 반도체에 대한 수요가 크게 증가하고 있는데요. 오늘 SMNR을 통해 전해드릴 반도체 기술은 DDR4 D램입니다. :: 실용적이며, 환경을 생각하는 '그린메모리' 고성능 DDR4 D램 삼성전자는 지난달 세계 최초로 차세대 고성능 D.. 더보기

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